三星與長江存儲簽署專利許可，引入混合鍵合技術(shù)提升NAND可靠性

韓國媒體報道，三星電子近日與長江存儲達成了一項3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議，將從第10代V-NAND（V10）開始，采用長江存儲的專利技術(shù)，特別是在“混合鍵合”技術(shù)領(lǐng)域。

三星計劃在2025年下半年開始量產(chǎn)下一代V10 NAND，預(yù)計該產(chǎn)品的堆疊層數(shù)將達到420至430層。隨著層數(shù)的增加，尤其是超過400層時，底層外圍電路的壓力會顯著提升，這可能影響芯片的可靠性。

為了克服這一挑戰(zhàn)，三星決定在V10 NAND中引入W2W混合鍵合技術(shù)。這項技術(shù)通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點連接，從而縮短了電氣路徑，提高了性能和散熱能力，同時優(yōu)化了生產(chǎn)效率。

長江存儲四年前就已經(jīng)將混合鍵合技術(shù)應(yīng)用于3D NAND制造，并將其命名為“晶棧（Xtacking）”，同時構(gòu)建了全面的專利布局。

業(yè)界人士指出，目前掌握3D NAND混合鍵合關(guān)鍵專利的公司美國的Xperi、中國的長江存儲和中國臺灣的臺積電，這意味著三星幾乎無法繞過長江存儲的專利布局。

因此，三星選擇了通過專利授權(quán)的方式來達成協(xié)議，而不是嘗試規(guī)避專利，以此來降低未來可能出現(xiàn)的法律和市場風(fēng)險，并加速其技術(shù)研發(fā)進程。

除了三星，SK海力士也正在開發(fā)適用于400層以上NAND產(chǎn)品的混合鍵合技術(shù)，未來他們也可能需要與長江存儲簽訂專利授權(quán)協(xié)議。

業(yè)界人士預(yù)測，三星在V10、V11、V12等后續(xù)NAND產(chǎn)品的開發(fā)過程中，仍可能會依賴長江存儲的專利技術(shù)。

生成海報

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