ROHM開發(fā)出確保安裝可靠性的車載用超小型MOSFET“RV4xxx系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)開發(fā)出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”，該系列產(chǎn)品可確保部件安裝后的可靠性，且符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101，是確保車規(guī)級(jí)品質(zhì)的高可靠性產(chǎn)品。另外，產(chǎn)品采用了ROHM獨(dú)有的封裝加工技術(shù)，非常有助于對(duì)品質(zhì)要求高的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)攝像頭模塊等汽車電子的小型化。

RV4xxx系列已于2019年5月份開始出售樣品(樣品價(jià)格 100日元/個(gè)，不含稅)，預(yù)計(jì)于2019年9月開始暫以月產(chǎn)10萬個(gè)規(guī)模投入量產(chǎn)。

近年來，ADAS不可或缺的車載攝像頭，受安裝空間的限制，對(duì)所配置部件的小型化要求越來越高。為滿足這些市場(chǎng)需求，在保持大電流的前提下，有望進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化的底部電極封裝MOSFET備受矚目。

另一方面，對(duì)于汽車電子產(chǎn)品，為確保可靠性，會(huì)在產(chǎn)品安裝后進(jìn)行外觀檢測(cè)※1)，但由于底部電極封裝在側(cè)面沒有充分形成穩(wěn)定的焊接面，因此無法確保汽車電子需要的焊料高度，并且很難確認(rèn)安裝后的焊接狀態(tài)，這是長(zhǎng)期以來存在的課題。

ROHM一直致力于包括超小型MOSFET在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)先產(chǎn)品的開發(fā)，并創(chuàng)造了傲人業(yè)績(jī)。此次，通過引入ROHM獨(dú)有工藝方法的 Wettable Flank成型技術(shù)※2)，底面電極封裝也能形成焊接面。作為業(yè)界首家※保證封裝側(cè)面電極部分130μm的高度，因此可在產(chǎn)品安裝后的外觀檢測(cè)中可以充分確認(rèn)焊接狀態(tài)。

未來，ROHM會(huì)充分運(yùn)用Wettable Flank成型技術(shù)優(yōu)勢(shì)，繼續(xù)開發(fā)小型封裝技術(shù)，并將技術(shù)優(yōu)勢(shì)從MOSFET擴(kuò)展到雙極晶體管和二極管產(chǎn)品，持續(xù)擴(kuò)充追求小型高可靠性的產(chǎn)品陣容。

　　※截至2019年7月23日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)

<特點(diǎn)>

1．利用融入ROHM獨(dú)有工藝方法的Wettable Flank成型技術(shù)，保證封裝側(cè)面電極部分130μm的高度

Wettable Flank成型技術(shù)是在封裝側(cè)面的引線框架部加入切割再進(jìn)行電鍍的技術(shù)。但是，引線框架切割高度越高越容易產(chǎn)生毛刺。

為此，ROHM開發(fā)出獨(dú)有的工藝方法，在引線框架整個(gè)表面上設(shè)置了用來減少毛刺的阻擋層。這可以防止產(chǎn)品安裝時(shí)的傾斜和焊接不良，而且作為DFN1616封裝產(chǎn)品(1.6mm×1.6mm)，業(yè)界首家保證封裝側(cè)面電極部分130μm的高度。

2．替換為小型底部電極 MOSFET，削減安裝面積

以往ADAS攝像頭模塊的反接保護(hù)電路主要采用肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)。但是，隨著攝像頭的分辨率日益提高，在超大電流化方向發(fā)展的車載市場(chǎng)，由于小型底部電極MOSFET具有導(dǎo)通電阻低且可減少發(fā)熱量的特點(diǎn)，替換掉SBD已經(jīng)是大勢(shì)所趨。

例如電流2.0A、功耗0.6W時(shí)，在車載市場(chǎng)被廣為使用的帶引腳封裝MOSFET，與SBD相比，可削減30%的安裝面積。而底部電極封裝的MOSFET，由于是底部電極，散熱性更好，不僅可實(shí)現(xiàn)小型化，還可實(shí)現(xiàn)大電流化。因此，與傳統(tǒng)的SBD相比，其安裝面積可削減78%，與普通的MOSFET相比，其安裝面積可削減68%。

<產(chǎn)品陣容>

<術(shù)語解說>

※1)外觀檢測(cè)

也稱自動(dòng)光學(xué)檢查或AOI(Automated Optical Inspection)。例如，用攝像頭掃描電路板，以檢查部件缺陷和品質(zhì)缺陷、焊接狀態(tài)等。

※2)Wettable Flank技術(shù)

在QFN和DFN等底部電極封裝的側(cè)面引線框架部加入切割再進(jìn)行電鍍加工，在側(cè)面也形成電極的技術(shù)。

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