根據(jù)外媒 wccftech 消息，三星電子近日宣布，正在研發(fā)單顆 24GB 的 DDR5 內(nèi)存顆粒，用于滿足企業(yè)用戶的需求，尤其是云數(shù)據(jù)中心等客戶。使用 32 顆這種顆粒制造的內(nèi)存條，可以實(shí)現(xiàn)單條 768GB 的容量，能夠?yàn)榉?wù)器大幅提高內(nèi)存容量。
三星此前展示過單條 512GB 的 RDIMM 服務(wù)器內(nèi)存條原型，其使用 32 片 16GB 顆粒。
外媒表示，三星的 24GB DDR5 內(nèi)存顆粒可能使用 8-Hi 疊層工藝制造。目前最新的的服務(wù)器 CPU、工作站 CPU 大都具備 8 條內(nèi)存通道，如果單條 768GB DDR5 內(nèi)存得以應(yīng)用，每通道使用兩條，共計(jì) 16 條內(nèi)存可以實(shí)現(xiàn)單 CPU 高達(dá) 12TB 的內(nèi)存容量。
IT之家了解到，目前三星的 16GB 內(nèi)存顆?？梢詫?shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但是 24GB 內(nèi)存顆粒還需要一段時(shí)間才能研發(fā)成功。除此之外，三星還公布了 EUV 工藝的最新進(jìn)展，并表示自家最新的 14nm 制程是同級(jí)別的最先進(jìn)的工藝，預(yù)計(jì)將會(huì)于下半年使用 EUV 工藝，制造 5 層層疊式 16GB DDR5 DRAM 內(nèi)存芯片。
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