日前那上海交通大學(xué)無錫光子芯片研究院宣布國(guó)內(nèi)首條光子芯片中試線正式啟用,代表著國(guó)內(nèi)光子芯片的產(chǎn)業(yè)化邁出了重要一步,光子芯片很快將不再是理論研究,而可能在不久的將來實(shí)現(xiàn)商用化。
業(yè)界都知道,制造芯片的最基本材料就是硅片,而硅片則是來自于日常生活中常見的沙子,不過將沙子變成硅片并不是太容易的事情,這方面目前主要由日本掌握,日本也是全球最大的硅片生產(chǎn)國(guó),三星、臺(tái)積電、Intel等都要從日本采購(gòu)硅片。
對(duì)于光子芯片來說,目前普遍認(rèn)為鈮酸鋰是最有希望的材料,鈮酸鋰化學(xué)特性較為穩(wěn)定,具有良好壓電效應(yīng)、光電效應(yīng)等,適合作為光子芯片的基礎(chǔ)材料,美國(guó)國(guó)防部曾評(píng)價(jià)電子學(xué)的基本材料是硅片,光子學(xué)的發(fā)源地很可能就是鈮酸鋰。
鈮酸鋰如此重要,但是將鈮酸鋰制造成光刻機(jī)可用的晶圓卻面臨不少的難題,中國(guó)各個(gè)機(jī)構(gòu)就一直為此努力,2019年南開大學(xué)解決了鈮酸鋰微加工的世界難題,2023年上海微系統(tǒng)所成功制備了6英寸的鈮酸鋰晶片--這是全球首次實(shí)現(xiàn)6英寸鈮酸鋰晶片的制備,再到如今上海交通大學(xué)無錫光子芯片研究院建設(shè)國(guó)內(nèi)首條光子芯片中試線,可見中國(guó)一直在一步步地推進(jìn)鈮酸鋰晶片的產(chǎn)業(yè)化。
上海交通大學(xué)無錫光子芯片研究院建設(shè)的中試平臺(tái)集科研、生產(chǎn)和服務(wù)于一體,配備了 100多 臺(tái)“國(guó)際頂級(jí) CMOS 工藝設(shè)備”,覆蓋了薄膜鈮酸鋰光子芯片的各個(gè)工序,包括光刻、薄膜沉積、刻蝕等的全封閉工藝,實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)完全自主化生產(chǎn)鈮酸鋰晶片的工序。
2022年《北京日?qǐng)?bào)》報(bào)道指國(guó)內(nèi)首條光子芯片生產(chǎn)線籌建,2023年量產(chǎn),配合這次的鈮酸鋰生產(chǎn)中試平臺(tái),國(guó)內(nèi)將成為完整的光子芯片產(chǎn)業(yè)鏈,這些環(huán)節(jié)都將由國(guó)內(nèi)的設(shè)備完成,而無需再依賴海外設(shè)備,畢竟光子芯片為全新的產(chǎn)業(yè),發(fā)展光子芯片得各自推進(jìn)設(shè)備的發(fā)展。
相比起硅基芯片,光子芯片對(duì)工藝的要求較低,一般只要百納米以上的工藝就能滿足要求,而這方面國(guó)內(nèi)的光刻機(jī)也已完全能達(dá)到技術(shù)水準(zhǔn),更無需依賴ASML用于生產(chǎn)7納米以下工藝的EUV光刻機(jī)。
據(jù)悉光子芯片較硅基芯片可以快1000倍,而功耗卻低得多,如此可以對(duì)于5G、物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器等行業(yè)需要高性能、低功耗的行業(yè)尤為合適,而光子芯片的發(fā)展面向的恰恰是這些方面。
值得注意的是光子芯片技術(shù)同樣得到美國(guó)企業(yè)的重視,NVIDIA就已與臺(tái)積電合作研發(fā)硅光子集成研發(fā)項(xiàng)目,以在圖形芯片上使用硅光子芯片異構(gòu)集成技術(shù),降低GPU芯片的功耗,這與NVIDIA擔(dān)憂AI行業(yè)的大發(fā)展將導(dǎo)致全球能源供應(yīng)不足,NVIDIA創(chuàng)始人黃仁勛就認(rèn)為以目前的硅基芯片技術(shù),即使采用更先進(jìn)的工藝,也AI也可能需要14個(gè)地球的能源,可見硅基芯片的能耗多么大,也可以看出美國(guó)芯片行業(yè)已在嘗試引入光芯片技術(shù)。
中國(guó)在光子芯片產(chǎn)業(yè)化方面的推進(jìn),將有助于中國(guó)芯片行業(yè)實(shí)現(xiàn)彎道超車,因?yàn)槿缃穸记宄邪l(fā)EUV光刻機(jī)的技術(shù)難度實(shí)在太大,ASML的EUV光刻機(jī)就需要全球數(shù)十個(gè)國(guó)家的5000家企業(yè)合作,如果沿著這樣的路線前進(jìn),中國(guó)芯片就只能一直跟隨,而在光子芯片等先進(jìn)芯片技術(shù)方面發(fā)展,現(xiàn)有的海外先進(jìn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈就可能不再是中國(guó)芯片的桎梏。
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