中國(guó)臺(tái)灣禁止臺(tái)積電在海外生產(chǎn)2納米芯片

11月11日消息（顏翊）據(jù)報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣省“經(jīng)濟(jì)部”部長(zhǎng)郭智輝近日表示，“由于臺(tái)灣有相關(guān)法規(guī)保護(hù)自己的技術(shù)，臺(tái)積電目前無(wú)法在海外生產(chǎn)2納米芯片。盡管臺(tái)積電計(jì)劃未來(lái)（在美國(guó)）生產(chǎn)2納米芯片，但其核心技術(shù)將留在臺(tái)灣。”

這也意味著臺(tái)積電雖然可以在美國(guó)、歐洲和日本建立先進(jìn)的工廠，但無(wú)法將其最尖端的制造技術(shù)轉(zhuǎn)移到海外生產(chǎn)設(shè)施。海外工廠僅能使用上一代制造工藝來(lái)生產(chǎn)芯片。

有評(píng)論認(rèn)為，盡管沒(méi)有直接說(shuō)明，但這些規(guī)定旨在確保中國(guó)臺(tái)灣，尤其是臺(tái)積電，仍然是全球領(lǐng)先芯片設(shè)計(jì)商的關(guān)鍵業(yè)務(wù)中心。

臺(tái)積電將于2025年在亞利桑那州的Fab 21開(kāi)始大批量生產(chǎn)4納米和5納米級(jí)芯片。臺(tái)積電的首個(gè)3納米(也可能是具備2納米能力的工廠—— Fab 21第二階段)計(jì)劃在2028年上線。

針對(duì)特朗普在競(jìng)選中提出的美國(guó)可能加征關(guān)稅的話題，臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)、臺(tái)積電資深副總經(jīng)理侯永清指出，臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)尚未收到官方通知。但他強(qiáng)調(diào)，中國(guó)臺(tái)灣應(yīng)增加研發(fā)投入，強(qiáng)化供應(yīng)鏈管理能力，以確保在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

侯永清表示，臺(tái)灣必須提高其在半導(dǎo)體設(shè)備和材料領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技能，這些領(lǐng)域目前由外國(guó)公司占據(jù)主導(dǎo)地位。同時(shí)，臺(tái)灣也應(yīng)吸引外國(guó)合作伙伴在中國(guó)臺(tái)灣建立設(shè)計(jì)和材料中心，以此加強(qiáng)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)，這是提升中國(guó)臺(tái)灣在全球微電子供應(yīng)鏈中的重要性的另一種方式。

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